Assessing single event upset susceptibility of InAlN HEMT with cap layer under heavy-ion environment

Assessing single event upset susceptibility of InAlN HEMT with cap layer under heavy-ion environment

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration actuators, systems integration, 2024-07
Hauptverfasser: Kumari, Vandana, Gupta, Mridula, Saxena, Manoj
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0946-7076
1432-1858
DOI:10.1007/s00542-024-05723-x