Erratum to: Progress of p-channel bottom-gate poly-Si thin-film transistor by nickel silicide seed-induced lateral crystallization

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics. A, Materials science & processing Materials science & processing, 2016-07, Vol.122 (7), Article 657
Hauptverfasser:	Lee, Sol Kyu, Seok, Ki Hwan, Park, Jae Hyo, Kim, Hyung Yoon, Chae, Hee Jae, Jang, Gil Su, Lee, Yong Hee, Han, Ji Su, Joo, Seung Ki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Characterization and Evaluation of Materials Condensed Matter Physics Erratum Machines Manufacturing Nanotechnology Optical and Electronic Materials Physics Physics and Astronomy Processes Surfaces and Interfaces Thin Films
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!