Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500-800 °C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics. A, Materials science & processing Materials science & processing, 2005-11, Vol.81 (6), p.1139-1144
Hauptverfasser:	YASUTAKE, K, KAKIUCHI, H, OHMI, H, YOSHII, K, MORI, Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!