Low-temperature scanning tunneling microscopy of subsurface shallow dopants: depth dependence of the corrugation for the GaAs(110) surface

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics. A, Materials science & processing Materials science & processing, 2001-04, Vol.72 (S2), p.S209-S212
Hauptverfasser:	Depuydt, A., Van Haesendonck, C., Savinov, S.V., Panov, V.I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!