Investigation of metallization schemes for high temperature devices based on silicon carbide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Fresenius' journal of analytical chemistry 1998-08, Vol.361 (6-7), p.570-573
Hauptverfasser:	SCHOLZ, T, GETTO, R, GOTTFRIED, K, KURZ, G, KRIZ, J, LAUER, V
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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