Growth of low dislocation density InP single crystals by the phosphorus vapor controlled LEC method

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of electronic materials 1991-12, Vol.20 (12), p.1013-1017
Hauptverfasser: KOHIRO, K, KAINOSHO, K, ODA, O
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0361-5235
1543-186X
DOI:10.1007/BF03030198