Real-time optical monitoring of epitaxial growth : pulsed chemical beam epitaxy of GaP and InP homoepitaxy and heteroepitaxy on Si

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1995-11, Vol.24 (11), p.1571-1576
Hauptverfasser:	DIETZ, N, ROSSOW, U, ASPNES, D, BACHMANN, K. J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy Physics
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