Optical properties of strained layer (111)B Al0.15Ga0.85As-In0.04Ga0.96As quantum well heterostructures
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Veröffentlicht in: | Journal of electronic materials 1992, Vol.21 (1), p.119-124 |
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Hauptverfasser: | , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0361-5235 1543-186X |
DOI: | 10.1007/BF02670931 |