Optical properties of strained layer (111)B Al0.15Ga0.85As-In0.04Ga0.96As quantum well heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of electronic materials 1992, Vol.21 (1), p.119-124
Hauptverfasser: MOISE, T. S, GUIDO, L. J, BEGGY, J. C, CUNNINGHAM, T. J, SESHADRI, S, BARKER, R. C
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0361-5235
1543-186X
DOI:10.1007/BF02670931