Residual impurities in GaN/Al2O3 grown by metalorganic vapor phase epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1996-05, Vol.25 (5), p.799-803
Hauptverfasser:	Ishibashi, Akihiko, Takeishi, Hidemi, Mannoh, Masaya, Yabuuchi, Yasufumi, Ban, Yuzaburoh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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