High quality gate dielectrics formed by rapid thermal chemical vapor deposition of silane and nitrous oxide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1996-03, Vol.25 (3), p.527-535
Hauptverfasser:	MISRA, V, XU, X, HORNUNG, B. E, KUEHN, R. T, MILES, D. S, HAUSER, J. R, WORTMAN, J. J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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