A1.3 μm strained quantum well laser on a graded InGaAs buffer with a GaAs substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1996-05, Vol.25 (5), p.581-584
Hauptverfasser:	Uchida, T., Kurakake, H., Soda, H., Yamazaki, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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