The formation of low resistance electrical contacts to shallow junction InP devices without compromising emitter integrity

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1991-10, Vol.20 (10), p.875-880
Hauptverfasser:	FATEMI, N. S, WEIZER, V. G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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