Electrical characteristics of diodes fabricated in selective Si/Si1−x Ge x epitaxial layers

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1992-08, Vol.21 (8), p.817-824
Hauptverfasser:	Kamins, T. I., Nauka, K., Jacowitz, R. D., Hoyt, J. L., Noble, D. B., Gibbons, J. F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!