Hydrogen incorporation in boron-doped 6H-SiC CVD epilayers produced using site-competition epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1995-04, Vol.24 (4), p.289-294
Hauptverfasser:	Larkin, D. J., Sridhara, S. G., Devaty, R. P., Choyke, W. J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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