Three dimensional devices fabricated by silicon epitaxial lateral overgrowth

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1990-10, Vol.19 (10), p.1111-1117
Hauptverfasser:	NEUDECK, G. W, SCHUBERT, P. J, GLENN, J. L, FRIEDRICH, J. A, KLAASEN, W. A, ZINGG, R. P, DENTON, J. P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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