Calculation of field-induced phonon-assisted tunnel ionization of deep centres in GaAs using the quantum defect method

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Czechoslovak journal of physics 1985-05, Vol.35 (5), p.585-588
1. Verfasser:	OLEJNIKOVA, B
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Conductivity phenomena in semiconductors and insulators Electronic transport in condensed matter Exact sciences and technology Physics
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