The effect of a mobile charge in silicon dioxide on the surface-states density of an MOS structure

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Soviet Physics Journal 1976-03, Vol.19 (3), p.378-379
Hauptverfasser:	Vertoprakhov, V. N., Kuchumov, B. M., Reznichenko, M. F., Sal'man, E. G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!