Growth of gallium arsenide under various initial supersaturation levels in a gaas-ASCL3-H2 gas-transport system: 1. Growth kinetics and structure of epitaxial layers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Soviet Physics Journal 1976-06, Vol.19 (6), p.726-730
Hauptverfasser:	Lavrent'eva, L. G., Porokhovnichenko, L. P., Ivleva, O. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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