Avalanche multiplication of charge carriers in isotype GaAs-Ga1?xAlxAs n+-v-n heterojunctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Soviet Physics Journal 1978-06, Vol.21 (6), p.761-765
Hauptverfasser:	Ptashenko, A. A., Timokhov, F. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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