Anisotropy of impurity trapping by epitaxial layers of gallium arsenide near singular faces with different chlorine and tellurium pressures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Soviet Physics Journal 1985-02, Vol.28 (2), p.169-172
Hauptverfasser:	Toropov, S. E., Lavrent'eva, L. G., Porokhovnichenko, L. P., Uvarova, E. V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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