Influence of thermal processing on the properties of Sn-doped GaAs epitaxial layers

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Soviet Physics Journal 1989-01, Vol.32 (1), p.44-48
Hauptverfasser:	Bobrovnikova, I. A., Vilisova, M. D., Ivleva, O. M., Moskovkin, V. A., Porokhovnichenko, L. P., Turshatova, M. V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!