Growth of GaAs epitaxial layers in the proximity of singular faces at various chlorine and impurity (tellurium) pressures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Soviet Physics Journal 1983-06, Vol.26 (6), p.540-543
Hauptverfasser:	Toropov, S. E., Porokhovnichenko, L. P., Lavrent'eva, L. G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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