Effects of growth temperature and substrate orientation on the entry of tellurium into epitaxial gallium arsenide films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Soviet Physics Journal 1982-11, Vol.25 (11), p.986-990
Hauptverfasser:	Lavrent'eva, L. G., Vilisova, M. D., Moskovkin, V. A., Toropov, S. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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