Radiation-induced variations in the spectral characteristics of InXGa1?XAs:Si light-emitting diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied spectroscopy 1986-08, Vol.45 (2), p.828-833
Hauptverfasser: Torchinskaya, T. V., Semenova, G. N., Berdinskikh, T. G., Brailovskii, E. Yu
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-9037
1573-8647
DOI:10.1007/BF00657466