X-ray photoelectron spectroscopy of silicon oxynitride layers obtained by low-energy ion implantation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied Physics A Solids and Surfaces 1988-06, Vol.46 (2), p.87-90
Hauptverfasser:	BENKHEROUROU, O, DEVILLE, J. P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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