670 nm AlGaInP/GaInP strained multi-quantum well laser diode with high characteristic temperature (T 0)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Optical and quantum electronics 1995-05, Vol.27 (5), p.435-440
Hauptverfasser:	Kim, Jong-Seok, Yang, Min, Choi, Won-Jin, Chang, Ji-Ho, Cho, In-Seong, Choi, Won-Taek, Yoo, Tae-Kyung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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