C60 growth on Si(100), GaSe(0001) and GeS(001): Influence of the substrate on the film crystallinity

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics. A, Materials science & processing Materials science & processing, 1993-03, Vol.56 (3), p.175-183
Hauptverfasser:	Gensterblum, G., Yu, L. -M., Pireaux, J. -J., Thiry, P. A., Caudano, R., Themlin, J. -M., Bouzidi, S., Coletti, F., Debever, J. -M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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