Laser-assisted etching of gallium arsenide in chlorine at 308 nm

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied Physics A Solids and Surfaces 1991-11, Vol.53 (5), p.442-448
1. Verfasser: BERMAN, M. R
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0721-7250
1432-0630
DOI:10.1007/BF00348160