Trench formation in surfactant mediated epitaxial film growth of Ge on Si(100)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied Physics A Solids and Surfaces 1992-03, Vol.54 (3), p.265-269
Hauptverfasser:	JUSKO, O, KÖHLER, U, PIETSCH, G. J, MÜLLER, B, HENZLER, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Solid surfaces and solid-solid interfaces Surface and interface dynamics and vibrations Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Thin film structure and morphology
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