Chemischer Transport fester Lösungen. 16 [1] Der Chemische Transport von Mischphasen im System GaAs/GaP

Mithilfe chemischer Transportreaktionen (Transportmittel Iod, 1000 → 900 °C) konnten im System GaAs/GaP Mischphasen GaAs1‐xPx (x = 0…︁1) durch chemischen Transport erhalten werden. Der Transport erfolgt kongruent. Die Bildung von GaI (g) ist für den Transport verantwortlich. Chemical Vapor Transport of Solid Solutions. 16. Chemical Vapor Transport of Mixed Crystals in the System GaAs/GaP By means of CVT methods using iodine as transport agent (1000 → 900 °C) in the system GaAs/GaP mixed crystals GaAs1‐xPx (x = 0…︁1) could be prepared. The transport occurs congruently. The transport is due to the formation of GaI (g).