Vergleichende Untersuchungen an Alkoxy‐trimethylsilanen, Alkoxy‐pentamethyldisilanen und 1,2 Dialkoxy‐tetramethyldisilanen sowie an analogen Alkylamino‐ und Alkylthio‐disilanen

Zum Vergleich mit bereits früher untersuchten Verbindungen Me 3 SiX (I) und Me 5 Si 2 X (II) mit X  OR, NHR und SR wurden Disilane des Typs XMe 2 SiSiMe 2 X (III) hergestellt. Für alle drei Substanztypen wurden relative Basizitätswerte und NMR‐Daten gemessen sowie für ausgewählte Verbindungen mit X  OR thermodynamische Daten der Assoziation mit Phenol. Die Ergebnisse werden bezüglich der Abhängigkeit von elektronischen und sterischen Effekten diskutiert. Für die Verbindungen mit X  OR und NHR ist der induktive Effekt von X wesentlich stärker durch konjugative Wechselwirkungen kompensiert als für die Verbindungen mit X  SR. Comparative Investigations on Alkoxy‐trimethylsilanes, Alkoxypentamethyldisilanes, 1,2 Dialkoxy‐tetramethyldisilanes and Analogous Alkylthio and Alkylamino Silanes For comparison with previously investigated compounds me 3 SiX (I) and me 5 Si 2 X (II) with X  OR, NHR and SR disilanes of the type Xme 2 SiSime 2 (III) have been prepared. For all three types of compounds relative basicities and 1 H‐NMR data have been measured as for selected compounds with X  OR thermodynamic data of the association with phenol. The results are discussed with respect to electronic and steric effects. For the compounds with X  OR and NHR the inductive effect of X is considerably more compensated by conjugative interactions as for compounds with X  SR.