Vergleichende Untersuchungen an Silyloxy‐ und Disilanyloxy‐Verbindungen

Die Lage SiOY‐charakteristischer IR‐Banden sowie die relative Basizität bzw. Acidität von Me 3 SiOY und Me 5 Si 2 OY wurden mit entsprechenden Daten von Verbindungen des allgemeinen Typs XMe 2 SiOX verglichen (X = Halogenmethyl, Benzyl, α‐Halogenbenzyl; Y = H, Alkyl, Phenyl, SiMe 2 X). Die Meßdate...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (1950) 1981-05, Vol.476 (5), p.55-61
Hauptverfasser: Kelling, H., Voss, P., Stendel, R., Popowski, E.
Format: Artikel
Sprache:eng ; jpn
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:Die Lage SiOY‐charakteristischer IR‐Banden sowie die relative Basizität bzw. Acidität von Me 3 SiOY und Me 5 Si 2 OY wurden mit entsprechenden Daten von Verbindungen des allgemeinen Typs XMe 2 SiOX verglichen (X = Halogenmethyl, Benzyl, α‐Halogenbenzyl; Y = H, Alkyl, Phenyl, SiMe 2 X). Die Meßdaten zeigen gute lineare Beziehungen zu den Taftschen σ*‐Konstanten, mit Ausnahme der Werte für die Disilanyl‐Verbindungen (X = Me 3 Si). Diese Abweichungen werden durch einen spezifischen Acceptorcharakter der SiSi‐Bindung erklärt. Comparative Investigations on Silyloxy and Disilanyloxy Compounds The frequencies of SiOY characteristic IR bands and relative basicities or acidities of Me 3 SiOY and Me 5 Si 2 OY have been compared with analog data of compounds of the common type XMe 2 SiOY (X = halogenomethyl, benzyl, α‐halogenobenzyl; Y = H, alkyl, phenyl, SiMe 2 X). There are good linear correlations between these data and Taft σ*‐constants with exception of the values for disilanyl‐compounds (X = Me 3 Si). These deviations are explained by a specific acceptor of the SiSi bond.
ISSN:0044-2313
1521-3749
DOI:10.1002/zaac.19814760507