Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m ‐Plane GaN by Using N 2 Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters 2018-08, Vol.12 (8)
Hauptverfasser:	Barry, Ousmane I, Lekhal, Kaddour, Bae, Si‐Young, Lee, Ho‐Jun, Pristovsek, Markus, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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