Correlation of Optical Emission and Ion Flux with GaN Etch Rate in Inductively Coupled Ar/Cl 2 Plasma Etching

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2003-01 (1), p.112-115
Hauptverfasser:	Rizvi, S.A., Maguire, P.D., Mahony, C.M.O., Okpalugo, O.A., Corr, C.S., Graham, W.G., Morley, S.M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!