On the Structure of Micro- and Nano-Crystalline Semiconductors and Semimetals

It is shown that the size distribution of the grains of micro‐ and nanocrystalline semiconductors and semimetals can be determined from a measurement of the dynamical conductivity Re σ(Ω). Here Ω has to be larger than the plasma resonance frequency, and the average grain size must be smaller than λF/2 (λF Fermi wavelength) which is about 100 nm for an electron concentration of 1015 cm−3. Es wird gezeigt, daß die Korngrößenverteilung in mikro‐ und nanokristallinen Halbleitern und Halbmetallen durch Messung der dynamischen Leitfähigkeit Re σ (Ω) bestimmt werden kann. Hierbei muß Ω größer als die Plasmaresonanz‐Frequenz sein und die mittlere Korngröße kleiner als λF/2 (λF Fermi Wellenlänge), etwa 100 nm bei einer Elektronenkonzentration von 1015 cm−3.