Non-Linear Temperature-Band Gap Variation in Small-Gap Semiconductors and Semimetals

A model is proposed to determine the high‐temperature band gap for small‐gap or semimetal II–VI compounds as Hg1‐xCdxTe or Hgi1‐xCdxSe, from an analysis of Hall data. It is shown that there exists a non‐linear band gap‐temperature dependence for a given Cd concentration. A variation law valid for 0 < x < 1 is proposed. This law is checked for a lot of samples, and it is demonstrated that there exists a very good agreement with experimental results even near the semimetal‐semiconductor transition. Für schmallückige und halbmetallische II–VI‐Verbindungen, wie Hg1‐xCdxTe oder Hg1‐xCdxSe, wird ein Modell zur Bestimmung der Hochtemperaturbandlücke aus der Analyse der Halldaten vorgeschlagen. Es wird gezeigt, daß eine nichtlineare Bandlücken‐Temperaturabhängigkeit für eine gegebene Cd‐Konzentration existiert. Ein Variationsgesetz, das für 0 < x < 1 gültig ist, wird vorgeschlagen. Dieses Gesetz wird an einer Vielzahl von Proben geprüft und es wird gezeigt, daß eine sehr gute Übereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen sogar in der Nähe des Halbmetall‐Halbleiterübergangs existiert.