Defect Production and Annealing Due to Relaxation of Electron Excitations in Fast Ion Tracks

A mechanism of defect production and annealing due to irradiation with high‐energy ions is proposed. It is shown that the degree of damage on the subsurface region of a crystal is determined by competition of two processes: migration of defects from the depth to the crystal surface and their recombination due to an increase in the mobility of defect‐forming atoms and vacancies. Ein Mechanismus zur Defekterzeugung und ‐ausheilung nach Bestrahlung mit hochenergetischen Ionen wird vorgeschlagen. Es wird gezeigt, daß der Schädigungsgrad des Oberflächenbereiches eines Kristalls durch die Konkurrenz zweier Prozesse bestimmt ist: die Wanderung von Defekten aus der Tiefe zur Kristalloberfläche und ihre Rekombination infolge eines Anwachsens der Beweglichkeit der defektbildenden Atome und Leerstellen.