Transport Phenomena in Mixed-Valence Zero-Gap Semimagnetic HgFeSe Semiconductors

On the basis of the nondegenerate Anderson model for mixed‐valence impurities an expression is found for the electrical conductivity taking into account the radical change of the energy spectrum and damping of conduction electrons resulting from the hybridization of s and d electrons and background scattering mechanisms. It is shown that within the framework of the developed theory the anomalous change in the mobility of electrons observed in HgFeSe as a result of varying iron content can be explained without recourse to the idea of formation of the Wigner crystal from Fe3+ ions at low temperatures. Auf der Grundlage des nichtentarteten Andersonmodells für Störstellen mit gemischter Valenz wird ein Ausdruck für die elektrische Leitfähigkeit gefunden, der die radikale Änderung des Energiespektrums und die Dämpfung der Leitungselektronen berücksichtigt, die aus der Hybridisierung von s‐ und d‐Elektronen und dem Hintergrundstreumechanismus herrühren. Es wird gezeigt, daß im Rahmen der entwickelten Theorie die anomale Änderung der im HgFeSe beobachteten Elektronenbeweglichkeit infolge des variierenden Eisengehalts ohne Rückgriff auf die Vorstellung der Bildung des Wignerkristalls aus Fe3+‐Ionen bei niedrigen Temperaturen erklärt werden kann.