Impurity Centres in ZnTe Crystals Doped with Be, Mg, Cd, and Hg

The reflection coefficient, Raman scattering, and photoluminescence spectra are investigated in ZnTe crystals, doped by isoelectronic impurities (Be, Mg, Cd, and Hg) up to concentration ≈ 1020 cm−3. It is shown that the above‐mentioned impurities essentially influence the optical and emission properties of ZnTe crystals. It is possible only in that case when the introduced impurity forms a bound exciton complex with the local centre. The bound exciton energies of doped ZnTe crystals are determined. An ZnTe‐Kristallen, die mit isoelektronischen Störstellen (Be, Mg, Cd und Hg) bis zu Konzentrationen ≈ 1020 cm−3 dotiert sind, werden Reflexionskoeffizient, Raman‐Streuung und Photolumineszenz‐spektren untersucht. Es wird gezeigt, daß die oben erwähnten Störstellen die optischen und Emissions‐eigenschaften von ZnTe‐Kristallen wesentlich beeinflussen. Dies ist nur in dem Fall möglich, wenn die eingeführten Störstellen gebundene Exzitonenkomplexe mit den lokalen Zentren bilden. Die Energien der gebundenen Exzitonen der dotierten ZnTe‐Kristalle werden bestimmt.