Time-Resolved Photoluminescence of a GaAs/GaAlAs Superlattice

The photoluminescence of a GaAs/GaAlAs superlattice at TL = 4.2 K is investigated at different excitation intensities with ps time resolution. The observed complicated time behaviour of the excitonic luminescence depends sensitively on excitation intensity. For a qualitative explanation of the experimental results different screening mechanisms and a time‐delayed capture of carriers into the quantum wells should be taken into account. Die Photolumineszenz eines GaAs/GaAlAs‐Supergitters wird bei TL = 4,2 K für verschiedene Anregungsintensitäten mit ps‐Zeitauflösung untersucht. Das beobachtete komplizierte Zeitverhalten der exzitonischen Lumineszenz hängt empfindlich von der Anregungsintensität ab. Für eine qualitative Erklärung der experimentellen Ergebnisse müssen verschiedene Abschirmmechanismen und ein zeitverzögerter Einfang von Ladungsträgern in die Quantengräben berücksichtigt werden.