The one- and two-photon absorption due to surface state excitons

The oscillator strengths are calculated for one‐ and two‐photon absorption by surface state Wannier excitons. The model of two surface bands is used, and excitons and electron‐hole pairs act as intermediate states. The cases of direct allowed and forbidden dipole transitions are investigated. Numerical calculations of the ratios of two‐ and one‐photon oscillator strengths are performed for (100) GaAs. Es werden die Oszillatorstärken für Ein‐ und Zwei‐Photonenabsorption durch Wannier‐Exzitonen‐Oberflächenzustände berechnet. Das Modell von zwei Oberflächenbändern wird benutzt, und die Exzitonen und Elektronen‐Lochpaare wirken als Zwischenzustände. Die Fälle von direkten erlaubten und verbotenen Dipolübergängen werden untersucht. Numerische Rechnungen der Verhältnisse von Zwei‐ und Ein‐Photonen‐Oszillatorstärken werden für (100) GaAs durchgeführt.