The model potential for charged centres in semiconductors

The model potential of an electron U(r) = −e2/4πϵ0ϵsr [1 + (ϵs − 1) exp (‐βr)] is, appliedtodeep charged centres in semiconductors instead of the commonly used combination of Coulombic and δ‐function potentials. The ground‐state energy of such a centre, photoionization cross‐section, and ionization energy lowering due to an applied electric field are calculated for various values of the parameters β and the values m* and ϵs corresponding to GaAs. Das Modell‐Potential eines Elektrons U(r) = −e2/4πϵ0ϵsr [1 + (ϵs − 1) exp (‐βr)] wird anstelle der üblicherweise verwendeten Kombination eines Coulomb‐Potentials und eines δ‐Potentials auf tiefe geladene Zentren angewandt. Die Grundzustandsenergie, der Photoionisationsquerschnitt und die Erniedrigung der Ionisierungsenergie durch ein elektrisches Feld werden für solch ein Zentrum für unterschiedliche Werte von β und die m*‐ und ϵs‐Werte von GaAs berechnet.