Non‐isodisplacement of P atoms in long‐wavelength optical phonons in In 1– x Ga x P

A study on long‐wavelength optical phonon modes in In 1– x Ga x P is carried out by infrared reflection and Raman scattering. The oscillator strengths of the single reststrahlen band (one‐mode behaviour) and of the additional band between the TO and LO mode are determined by classical dispersion analysis. The origin of the additional structure is explained by non‐isodisplacement motions of the P atoms in the long‐wavelength phonon modes arising from changes in the nearest‐neighbour force constants with the kind of surrounding atoms. Compositional dependences of the mode frequencies and oscillator strengths are calculated using a virtual crystal model with five types of basic units. Die langwelligen optischen Phononen in In 1– x Ga x P werden mit Hilfe von Infrarotreflexion und Ramanstreuung untersucht. Die Oszillatorstärken der Reststrahlbande (Ein‐Moden‐Verhalten) und der zusätzlichen Bande zwischen der TO‐ und LO‐Fundamentalmode werden durch klassische Dispersionsanalyse bestimmt. Die zusätzliche Struktur wird durch ungleiche Auslenkungen der P‐Atome in den langwelligen Phononmoden erklärt, die von Änderungen der Kraftkonstanten nächster Nachbarn mit der Art der Umgebung herrühren. Die Abhängigkeiten der Modenfrequenzen und Oszillatorstärken von der Zusammensetzung werden im Rahmen eines virtuellen Kristall‐Modells mit fünf Basiseinheiten berechnet.