Polarizabilities of donors in elemental semiconductors

Using the multivalley effective‐mass theory and the variational method the following expression is obtained for the polarizability α of donors in elemental semiconductors: α = 4a4/[(−a/K) + + (1/m*) + 2EDa2], where a is the effective Bohr radius for the donor, K the static dielectric constant of the host semiconductor, m* the conduction electronic effective mass, and ED the donor ionization energy. The estimates of α for various donors in Si and Ge are discussed. Unter Benutzung der Vieltal‐Effektivmassentheorie und der Variationsmethode wird folgender Ausdruck für die Polarisierbarkeit α von Donatoren in Elementhalbleitern erhalten: α = 4a4/[(−a/K) + (1/m*) + 2EDa2], wobei a der effektive Bohrsche Radius für Donatoren, K die statische Dielektrizitätskonstante des Wirtshalbleiters, m* die effektive Masse der Leitungselektronen und ED die Ionisationsenergie der Donatoren ist. Die Berechnungen von α für verschiedene Donatoren in Si und Ge werden diskutiert.