Optical Studies of Free and Bound Excitonic States in GaSb Evidence for Deep A+-Complexes

The energies of the free exciton and of four excitons bound to neutral acceptors (A°, X) are determined by either reflection, absorption, or emission with high purity p‐type GaSb. The data give evidence that bound excitons may be described alternatively as an electron bound by a donor‐like A+‐centre. For one particular deep A+‐centre, transitions from neutral donor states to that A+‐centre are observed besides the bound exciton decay. p‐GaSb is especially favourable for observing deep A+‐centres, because of the position of the Fermilevel. Conditions under which they may be observable for other III–V compounds are discussed. Die Energien des freien Exzitons und von vier an neutrale Akzeptoren gebundenen Exzitonen (A°, X) wurden aus Reflexions‐, Absorptions‐ und Emissionsspektren von hochreinem p‐leitendem GaSb bestimmt. Die Meßergebnisse deuten darauf hin, daß gebundene Exzitonen als Donator‐ähnliche A+‐Zentren mit einem gebundenen Elektron beschrieben werden können. Bei einem bestimmten, tiefen A+‐Zentrum wurden neben dem Zerfall des gebundenen Exzitons die Rekombination von Elektronen von neutralen Donatorzuständen mit dem Loch dieses A+‐Zentrums beobachtet. p‐GaSb ist wegen der Lage des. Ferminiveaus für die Beobachtung tiefer A+‐Zustände besonders geeignet. Es werden Bedingungen diskutiert, unter denen auoh in anderen III‐V‐Halbleitern A+‐Zustände beobachtbar sein sollten.