Polymorphism and Faceting in Ga 2 O 3 Layers Grown by HVPE at Various Gallium‐to‐Oxygen Ratios

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:physica status solidi (b) 2022-02, Vol.259 (2)
Hauptverfasser: Shapenkov, Sevastian, Vyvenko, Oleg, Nikolaev, Vladimir, Stepanov, Sergei, Pechnikov, Alexei, Scheglov, Mikhail, Varygin, Georgiy
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0370-1972
1521-3951
DOI:10.1002/pssb.202100331