On the band gap of indium nitride

The controversy about the band gap of indium nitride is discussed. It is shown by considering the electron effective mass in different direct‐gap II–VI and III–V semiconducting compounds that the controversy may be resolved by measuring the electron effective mass in indium antimonide samples showin...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. B. Basic research 2003-06, Vol.237 (2), p.R1-R2
1. Verfasser: Nag, B. R.
Format: Artikel
Sprache:eng
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