Depth Distribution Measurements Using Bombardment-Enhanced Solubility

A method is described which enables thin, uniform layers to be sectioned off from the surfaces of insulators and semiconductors. It is based on the formation of bombardment‐induced disorder in a layer of definite thickness by low‐energy ion bombardment and subsequent dissolving the disordered layer in a suitable solvent. The thickness of the layer thus removed after various times and conditions of ion bombardment is determined for silicon and mica using neutron activation analysis. The method is applied for determining the depth distribution of radon decay products injected by recoil from a planar radon source into mica. Es wird eine Methode beschrieben, die es ermöglicht, gleichmäßige dünne Schichten von der Oberfläche von Isolatoren und Halbleitern abzutragen. Sie beruht auf der Bildung strahlungsinduzierter Schäden in einer Schicht von definierter Dicke durch Bombardement mit niederenergetischen Ionen und nachfolgender Ablösung der beschädigten Schicht in einem geeigneten Lösungsmittel. Die Dicke der abgetragenen Schicht je nach Dauer und unterschiedlichen Bedingungen des Ionenbombardements wurde unter Anwendung von Neutronenaktivierung für Silizium und Glimmer bestimmt. Die Methode wurde zur Bestimmung der Reichweiteverteilung von Radonzerfallsprodukten benutzt, die durch Rückstoß von einer planaren Radonquelle in Glimmer eingebracht wurden.