Release of Inert Gas Label from Discharge Treated Solids

High frequency discharge treatment in xenon at low pressure is found to produce disordering in the surface layers of diamond, lithium fluoride, and magnesium hydroxide, and to create sites which can act as traps for the inert gas atoms during subsequent labeling. Experimental results indicate that the release of the inert gas label is a process which is distributed in activation energies, and that the activation energy spectrum for release can be obtained by recording the activity of the escaping gas in the course of tempering. The peaks observed in the tempering release curves are interpreted as being connected with the annealing of the original damage produced by the discharge treatment. It is found that the activation energies for release of krypton from discharge treated diamond and lithium fluoride agree with activation energies for annealing of damage produced by reactor irradiation. It is therefore concluded that disordering produced by ion bombardment during discharge treatment in the surface layers is similar in nature to the damage produced by reactor irradiation in the bulk of the solid. Hochfrequente Entladungen in Xenon bei niedrigem Druck erzeugen Störungen auf den Oberflächen von Diamant, Lithiumfluorid und Magnesiumhydroxyd und schaffen Haftstellen für die inerten Gasatome bei nachfolgender Belegung. Die experimentellen Ergebnisse weisen darauf hin, daß die Ablösung dieser Belegung ein Prozeß ist, der eine Reihe von Aktivierungsenergien besitzt. Dieses Spektrum der Aktivierungsenergien kann durch Messung der Aktivität des entweichenden Gases bei einer Temperung erhalten werden. Die Maxima, die in den Ablösekurven während der Temperung beobachtet wurden, werden mit dem Ausheilen der ursprünglichen, durch die Entladung verursachten Störungen in Zusammenhang gebracht. Es wurde gefunden, daß die Aktivierungsenergien für die Ablösung von Krypton von Diamant und Lithiumfluorid, die einer Entladung ausgesetzt waren, gut mit den Aktivierungsenergien übereinstimmen, die beim Ausheilen der durch Reaktorbestrahlung erzeugten Störungen erhalten werden. Es wird deshalb angenommen, daß die Störungen, die durch Ionenbeschuß in Gasentladungen auf den Oberflächen erzeugt werden, denjenigen ähnlich sind, die durch Reaktorbestrahlungen in Volumen des Festkörpers geschaffen werden.