Mapping of the Residual Voltage of Hall Devices Fabricated by P + Si Coimplantation on GaAs Wafers

Cross‐shaped GaAs Hall devices have been fabricated by a completely planar technology using selective P + Si coimplantation steps to improve the quality of the active implanted layer in semi‐insulating GaAs. The basic technological processes are described. Selected measured characteristics of these elements are determined by means of C‐V, conductivity, and Hall methods. The wafer maps of the residual voltage exhibit evident fourfold symmetry. These results may be explained by correlation between spatial variations of residual voltage and thermally induced fourfold symmetry for the dislocation distribution in the LEC GaAs wafers. Kreuzförmige GaAs‐Hallsonden werden mit Hilfe einer kompletten Planartechnologie hergestellt. Selektive Pi + Si‐Koimplantation wird verwendet, um die Qualität der aktiven, implantierten Schicht in SI‐GaAs zu verbessern. Die grundlegenden technologischen Prozesse werden beschrieben. Ausgewählte Charakteristiken dieser Elemente werden mit C‐V‐ und galvanomagnetischen Messungen bestimmt. Es wird festgestellt, daß Scheibenkartierungen (wafer maps) der Nullspannung eine offen‐sichtliche vierzählige Symmetrie aufweisen. Diese Ergebnisse werden durch eine Korrelation zwischen den räumlichen Variationen der Nullspannung und der thermisch induzierten Verteilung der Versetzungen mit einer vierzähligen Symmetrie in den LEC‐GaAs‐Scheiben erklärt.